LED外延片是生产LED芯片的原材料，由III-V族元素化合物（常见的有GaN、AlInAs等）组成的单晶薄层。其厚度通常在0.1至20微米之间。制作过程中需要使用MOCVD设备进行生长，通过调整配方和工艺条件来控制晶体质量。
由于每个LED都需要一个P型杂质掺杂区和一个N型杂质掺杂区的结构来实现电流分流的目的，因此外延片的制备需要进行多层层叠生长的操作。目前市场上的主品多为双异质结红光二极管用的红色LED用材料(如YAG:Ce,CaF_2：Cr4+)，以及蓝宝石衬底上长的氮化基蓝色发光器件的外延片及其技术或方法。
在线客服
186 5556 9531
zhengyuanzhi@epitop.com.cn